PRAM (phase-change RAM) представлява нов тип енергонезависима памет (т.нар. памет с изменяемо фазово състояние), разработена от Intel в сътрудничество с още няколко компании, съобщават от ComputerWorld.bg.

В основата и е материал, наречен „халкогенидно стъкло", чиято физическа структура може да се променя между две състояния - кристално и аморфно - под влиянието на топлината, генерирана от протичащ ток.

Двете състояния имат различно и точно определено електрическо съпротивление, което пък позволява в различните клетки на чипа да се представя информация под добре познатата компютърна двоична система от „нули" и „единици".

Технологията се намира в етап на прототипни чипове и мнозина от промишлените специалисти и анализатори я разглеждат като потенциален заместител на днешните флаш памети и дори може би на DRAM (dynamic RAM) модулите.

За разлика от DRAM и подобно на флаш устройствата, новата памет може да съхранява данните дори при изключване на системата от захранването. PRAM обаче превъзхожда и „флашовете", които четат и записват информация по-бавно, отколкото DRAM, имат по-малък капацитет и са по-скъпи.

PRAM технологията изглежда доста по-обещаващо от гледна точка на бързодействие и трайност спрямо флаш паметите, а Intel дори планира старт на масово производство на чипове от този тип през втората половина на 2007 година.