Специалисти от белгийския институт IMC създадоха клетка резистивна памет с произволен достъп (RRAM) с размери само 10х10 нм. Новата разработка беше показана по време на срещата IEEE International Electron Devices Meeting.
Това е най-малката RRAM клетка към момента, твърдят учените. Според тях, подобно достижение показва, че RRAM паметта може да замени флаш паметите от тип NAND, съобщава TechNews.bg.
Повечето специалисти са на мнение, че флаш паметите скоро ще достигнат своя предел на намаляване на размерите, тъй като принципът им на работа се основава на съхраняване на заряди.
За разлика от флаша, RRAM паметите използват превключване на участъци от материала между две стабилни състояния и затова се считат за по-перспективна алтернатива. Изследователите от IMEC са използвали като материал слоеве от хафний и хафниев оксид, разположени между електроди от титанов нитрид.
Новата RRAM клетка издържа над милиард цикъла на презапис, работи на напрежение по-ниско от 3 волта и превключва за наносекунда, като изразходва около 0,1 пикоджаула енергия. Може да съхранява информация в продължение на 10 години при температура 100°С.
USD
CHF
EUR
GBP
dk
на 10.12.2011 в 18:20:37 #14Имам в превид, изглежда по-добра възможност от юсб3.
dk
на 10.12.2011 в 18:19:14 #13Параметрите са окуражаващи - важните неща - обем, скорост, брой цикли! Много е привлекателна възможноста с която юсб3 се оравя прилично - да имаш собствената си система в джоба и на всеки компютър да си я пуснеш. Сегашните решения са муднички, но понякога се предпочитат!
НаблюдателЕ
на 10.12.2011 в 15:12:07 #12@ Матю: Не става дума дали е ново или старо, а дали физическите механизми в използваните материали са добре изучени и моделите са адекватни. От друга страна, съвременните полупроводникови технологии, MOS, FLASH и т.н., са ТАКА ДОБРЕ изпипани и развити, че за да постигне: - същите и по-добри технически параметри - същите и по-добри икономически показатели - при известна съвместимост със съществуващите заводи (стотици инвестирани $милиарди) за производство всяка алтернативна технология ще трябва да: - реши огромен брой технически, икономически и други проблеми - има голям късмет по пътя си към пазара На този етап никой не може да предвиди и/или гарантира дали RRAM ще се превърне в съществена КОМЕРИСИАЛНА технология, която да замести FLASH технологията. Даже и ако се превърне в такава технология, до тогава ще минат не по-малко от 4-6 и повече години. Различни алтернативни технологии, които кандидатстват за комерсиално приложение, има десетки, на най-различен етап по пътя си, но не си спомням алтернатива да е стигнала до целта през последните 10-20 години
Матю
на 10.12.2011 в 13:46:13 #11Стига сте скачали, бре. Каквато и методика да ползват, това си е очакване, предположение, или дори хипотеза. Дали реално ще издържи 10 години на 100 градуса без да загуби нито един бит, това не може да се гарантира за нещо, което е толкова ново.
НаблюдателЕ
на 10.12.2011 в 12:16:57 #10Информацията за 100-те години е оценъчна, не се тества, а се гарантира: - чрез моделиране на процесите в клетката памет - идентифициране и моделиране на режимите на откази (failure modes), водещи до загуба на информация - идентифициране на факторите, УСКОРЯВАЩИ процесите на отказ - определяне на ЧИСЛЕНИТЕ стойности на влиянието на тези фактори върху процеса на отказ, според един или друг модел на стареене (например Arrhenius). ТОЧНОТО определяне на тези стойности и тяхната валидност по отношение на границите на изменение на фактора, както и във времето, е тънката работа в моделиране на надеждноста на елементите - изследване на влиянието на тези фактори, например температура, при т.н. ускорено тестване (accelerated testing) Определянето на конкретна стойност не е тривиално, но физиците, ако са си направили правилно домашното по горната или подобна методика, могат да назоват някакви цифри и да ги "доказват" или "показват" при ускореното тестване :-)
Despair
на 10.12.2011 в 09:40:31 #9За флаш паметите в американското списание "Electronics" пишеше още в края на 70-те години на миналият век, че се работи упорито и ще сменят дисковите памети! Минахаповече от 30 години и все още прогнозата не е раеализирана напълно! Така, че нашите внуци, може би, практически ще се радват на този нов вид памети.
ptitsa
на 10.12.2011 в 08:30:07 #8"10-те години" Ти да не си помисли ,че са тествали 10 години? Най - много 1, даже по-малко, и след това моделиране с параметри температура и време (може и друго). Моделът му е майката, ама след това не винаги е 100 % коректен, нищо добър резултат за сега.
gg_
на 09.12.2011 в 22:45:46 #7сигурно великите иранци-софтуеристи са го измислили тоя рам
динев
на 09.12.2011 в 21:04:36 #6Искаш да кажеш за 10 години при 100 градуса. Ами направили са експерименти, така. Не ме питай какви, но щом са създали такова нещо, съм сигурен , че може и да го тестват при всякакви условия
Матю
на 09.12.2011 в 20:50:43 #5Минувач, има прагове, при които свойствата се изменят рязко. Мине ли се такъв праг и екстраполацията отива на вятъра. Все едно щангист, който вдига 100 кг 30 пъти "на екс" да си повярва, че може да вдигне еднократно 3 тона.
Минувач
на 09.12.2011 в 17:30:01 #4Направили са тестове за изкуствено стареене. Извършват се за много продукти и най-вече за лекарствата. Изследват се качествата при 3-4 по-високи температури и се изчислява спрямо зададена температура, колко е срока на годност.
Матю
на 09.12.2011 в 15:42:35 #3Преди някой да ме е поправил ... 10-те години (100-те бяха градусите, ама за тях е ясно).
Св
на 09.12.2011 в 15:08:12 #2Пускайте новина за Фейсбук, че ни липсва вече!
Матю
на 09.12.2011 в 14:11:04 #1Това за 100-те години как е установено?