С внедряването на прецизни технологични процеси се постига подобряване на редица технологични характеристики на микросхемите памет, в това число увеличава се и тяхната плътност, съобщават от PCWorld.bg.

Усвояването на нови технологични норми наближава до границата на физическите възможности на силиция и изисква от разработчиците прилагане на други подходи за усъвършенстване на паметта.

Японските инженери са предложили да се използват триизмерни структури от масиви, запомнящи елементи. Разработката касае само памет от типа NAND.

Особеност на 3D структурата е използване на общи периферни вериги от клетките, което позволява да се увеличава количеството на запомнящите слоеве, без да се увеличава площта на чипа.

В сравнение с традиционните методи, разработката на Toshiba е по-проста за реализиране и не води до удължаване на технологичния процес по време.

Освен това, триизмерната технология позволява да се увеличи плътността на паметта при незначително увеличение на размерите на микросхемата.